DMN2009LSS-13 Preços (USD) [289449pcs Estoque]
- 1 pcs$0.12779
- 2,500 pcs$0.11355
- Número da peça:
- DMN2009LSS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2009LSS-13 electronic components. DMN2009LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2009LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2009LSS-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMN2009LSS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
58.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2555pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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