Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60NB600CF C0G

KEY Part #: K6407055

TSM60NB600CF C0G Preços (USD) [57375pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.68150

Número da peça:
TSM60NB600CF C0G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60NB600CF C0G Atributos do produto

Número da peça : TSM60NB600CF C0G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 528pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 41.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ITO-220S
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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