ON Semiconductor - NDB6030PL

KEY Part #: K6404401

NDB6030PL Preços (USD) [2024pcs Estoque]

  • 800 pcs$0.37604

Número da peça:
NDB6030PL
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDB6030PL Atributos do produto

Número da peça : NDB6030PL
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1570pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 75W (Tc)
Temperatura de operação : -65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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