VMO650-01F Preços (USD) [489pcs Estoque]
- 1 pcs$100.01965
- 2 pcs$99.52204
- Número da peça:
- VMO650-01F
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 690A MODULE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS VMO650-01F electronic components. VMO650-01F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VMO650-01F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VMO650-01F Atributos do produto
Número da peça :
VMO650-01F
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
690A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6V @ 130mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2300nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
59000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2500W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Y3-DCB
Pacote / caso :
Y3-DCB
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