STMicroelectronics - STD85N10F7AG

KEY Part #: K6419251

STD85N10F7AG Preços (USD) [99702pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.39218
  • 2,500 pcs$0.32890

Número da peça:
STD85N10F7AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD85N10F7AG Atributos do produto

Número da peça : STD85N10F7AG
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Series : Automotive, AEC-Q101, STripFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 85W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63