BUZ31 H3045A Preços (USD) [95885pcs Estoque]
- 1 pcs$0.40983
- 1,000 pcs$0.40779
- Número da peça:
- BUZ31 H3045A
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BUZ31 H3045A electronic components. BUZ31 H3045A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUZ31 H3045A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BUZ31 H3045A Atributos do produto
Número da peça :
BUZ31 H3045A
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
14.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1120pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
95W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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