STMicroelectronics - STWA68N60M6

KEY Part #: K6393220

STWA68N60M6 Preços (USD) [8289pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.97110

Número da peça:
STWA68N60M6
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
N-CHANNEL 600 V 35 MOHM TYP. 63.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STWA68N60M6 Atributos do produto

Número da peça : STWA68N60M6
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : N-CHANNEL 600 V 35 MOHM TYP. 63
Series : MDmesh™ M6
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 63A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 31.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4360pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 390W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 Long Leads
Pacote / caso : TO-247-3

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