FDP8D5N10C Preços (USD) [39860pcs Estoque]
- 1 pcs$0.98092
- Número da peça:
- FDP8D5N10C
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- FET ENGR DEV-NOT REL.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
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FDP8D5N10C Atributos do produto
Número da peça :
FDP8D5N10C
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
FET ENGR DEV-NOT REL
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
76A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 130µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2475pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.4W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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