IXFH60N60X Preços (USD) [9705pcs Estoque]
- 1 pcs$4.69416
- 50 pcs$4.67080
- Número da peça:
- IXFH60N60X
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 60A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFH60N60X electronic components. IXFH60N60X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH60N60X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH60N60X Atributos do produto
Número da peça :
IXFH60N60X
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
143nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5800pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
890W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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