NVMFSW6D1N08HT1G Preços (USD) [125731pcs Estoque]
- 1 pcs$0.29418
- Número da peça:
- NVMFSW6D1N08HT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- T8 80V 1 PART PROLIFERATI.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFSW6D1N08HT1G electronic components. NVMFSW6D1N08HT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFSW6D1N08HT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFSW6D1N08HT1G Atributos do produto
Número da peça :
NVMFSW6D1N08HT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
T8 80V 1 PART PROLIFERATI
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Ta), 89A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 120µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2085pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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