Infineon Technologies - BSC059N04LSGATMA1

KEY Part #: K6420734

BSC059N04LSGATMA1 Preços (USD) [241388pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15323
  • 5,000 pcs$0.12334

Número da peça:
BSC059N04LSGATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies BSC059N04LSGATMA1 electronic components. BSC059N04LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC059N04LSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC059N04LSGATMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSC059N04LSGATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta), 73A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 23µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3200pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Você também pode estar interessado em