Diodes Incorporated - DMT6005LFG-7

KEY Part #: K6393844

DMT6005LFG-7 Preços (USD) [210942pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17534

Número da peça:
DMT6005LFG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6005LFG-7 Atributos do produto

Número da peça : DMT6005LFG-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 48.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3150pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.98W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI3333-8
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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