HAT2160H-EL-E Preços (USD) [71063pcs Estoque]
- 1 pcs$0.58654
- 2,500 pcs$0.58363
- Número da peça:
- HAT2160H-EL-E
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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HAT2160H-EL-E Atributos do produto
Número da peça :
HAT2160H-EL-E
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7750pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LFPAK
Pacote / caso :
SC-100, SOT-669
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