STMicroelectronics - STU3N65M6

KEY Part #: K6420649

STU3N65M6 Preços (USD) [224918pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.16527
  • 3,000 pcs$0.16445

Número da peça:
STU3N65M6
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STU3N65M6 Atributos do produto

Número da peça : STU3N65M6
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK
Series : MDmesh™ M6
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.75V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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