Infineon Technologies - BSS87H6327XTSA1

KEY Part #: K6421375

BSS87H6327XTSA1 Preços (USD) [497612pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.07137

Número da peça:
BSS87H6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS87H6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSS87H6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89
Series : SIPMOS™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 240V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 260mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 260mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 108µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 97pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT89-4-2
Pacote / caso : TO-243AA

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