Nexperia USA Inc. - PHD38N02LT,118

KEY Part #: K6421325

PHD38N02LT,118 Preços (USD) [454053pcs Estoque]

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  • 10,000 pcs$0.08146

Número da peça:
PHD38N02LT,118
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHD38N02LT,118 Atributos do produto

Número da peça : PHD38N02LT,118
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 44.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15.1nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 57.6W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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