Rohm Semiconductor - R5013ANJTL

KEY Part #: K6418091

R5013ANJTL Preços (USD) [51384pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.84122
  • 1,000 pcs$0.83704

Número da peça:
R5013ANJTL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R5013ANJTL Atributos do produto

Número da peça : R5013ANJTL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 100W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LPTS
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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