IXFX55N50F Preços (USD) [3909pcs Estoque]
- 1 pcs$14.69588
- 10 pcs$13.59554
- 100 pcs$11.61122
- Número da peça:
- IXFX55N50F
- Fabricante:
- IXYS-RF
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS-RF IXFX55N50F electronic components. IXFX55N50F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX55N50F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFX55N50F Atributos do produto
Número da peça :
IXFX55N50F
Fabricante :
IXYS-RF
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
Series :
HiPerRF™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
195nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6700pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
560W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS247™-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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