Rohm Semiconductor - RT1A040ZPTR

KEY Part #: K6420917

RT1A040ZPTR Preços (USD) [291844pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.14011
  • 3,000 pcs$0.13941

Número da peça:
RT1A040ZPTR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 12V 4A TSST8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RT1A040ZPTR Atributos do produto

Número da peça : RT1A040ZPTR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2350pF @ 6V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.25W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSST
Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead

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