IGT60R070D1ATMA1 Preços (USD) [5772pcs Estoque]
- 1 pcs$7.13889
- Número da peça:
- IGT60R070D1ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IC GAN FET 600V 60A 8HSOF.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA1 electronic components. IGT60R070D1ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGT60R070D1ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IGT60R070D1ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IGT60R070D1ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
Series :
CoolGaN™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-HSOF-8-3
Pacote / caso :
8-PowerSFN
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