IXYS - IXFR48N60Q3

KEY Part #: K6395597

IXFR48N60Q3 Preços (USD) [5093pcs Estoque]

  • 1 pcs$9.83103
  • 60 pcs$9.78212

Número da peça:
IXFR48N60Q3
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR48N60Q3 Atributos do produto

Número da peça : IXFR48N60Q3
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 154 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7020pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ISOPLUS247™
Pacote / caso : TO-247-3