[8869pcs Estoque]
- Número da peça:
- PHT11N06LT,135
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PHT11N06LT,135 electronic components. PHT11N06LT,135 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHT11N06LT,135, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHT11N06LT,135 Atributos do produto
Número da peça :
PHT11N06LT,135
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±13V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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