Vishay Siliconix - SQP10250E_GE3

KEY Part #: K6417317

SQP10250E_GE3 Preços (USD) [28686pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.43668

Número da peça:
SQP10250E_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQP10250E_GE3 Atributos do produto

Número da peça : SQP10250E_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 250V TO-220AB
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 53A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4050pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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