MMIX1T132N50P3 Preços (USD) [2472pcs Estoque]
- 1 pcs$19.27328
- 10 pcs$18.02098
- 100 pcs$15.62526
- Número da peça:
- MMIX1T132N50P3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- SMPD HIPERFETS MOSFETS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS MMIX1T132N50P3 electronic components. MMIX1T132N50P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMIX1T132N50P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MMIX1T132N50P3 Atributos do produto
Número da peça :
MMIX1T132N50P3
Fabricante :
IXYS
Descrição :
SMPD HIPERFETS MOSFETS
Series :
Polar™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
63A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
43 mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
267nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
18600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
520W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Polar3™
Pacote / caso :
24-PowerSMD, 22 Leads
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