SIHD9N60E-GE3 Preços (USD) [93805pcs Estoque]
- 1 pcs$0.41683
- 3,000 pcs$0.39053
- Número da peça:
- SIHD9N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHD9N60E-GE3 electronic components. SIHD9N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD9N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHD9N60E-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIHD9N60E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Series :
E
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
368 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
778pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
78W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-PAK (TO-252AA)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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