ON Semiconductor - FDN86246

KEY Part #: K6404827

FDN86246 Preços (USD) [233568pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15915
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Número da peça:
FDN86246
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN86246 Atributos do produto

Número da peça : FDN86246
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 261 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 225pF @ 75V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SuperSOT-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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