Rohm Semiconductor - RD3P175SNTL1

KEY Part #: K6393164

RD3P175SNTL1 Preços (USD) [161762pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.22865

Número da peça:
RD3P175SNTL1
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
NCH 100V 17.5A POWER MOSFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RD3P175SNTL1 Atributos do produto

Número da peça : RD3P175SNTL1
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : NCH 100V 17.5A POWER MOSFET
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 17.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 20W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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