SSM6J216FE,LF Preços (USD) [708494pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05221
- Número da peça:
- SSM6J216FE,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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SSM6J216FE,LF Atributos do produto
Número da peça :
SSM6J216FE,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Series :
U-MOSVI
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1040pF @ 12V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ES6
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
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