Diodes Incorporated - DMT10H009LSS-13

KEY Part #: K6403433

DMT10H009LSS-13 Preços (USD) [171554pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.21560

Número da peça:
DMT10H009LSS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H009LSS-13 Atributos do produto

Número da peça : DMT10H009LSS-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Ta), 48A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 40.2nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2309pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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