STF11N60DM2 Preços (USD) [49221pcs Estoque]
- 1 pcs$0.75258
- 10 pcs$0.67983
- 100 pcs$0.54637
- 500 pcs$0.42496
- 1,000 pcs$0.33307
- Número da peça:
- STF11N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- N-CHANNEL 600 V 0.26 OHM TYP..
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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STF11N60DM2 Atributos do produto
Número da peça :
STF11N60DM2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
N-CHANNEL 600 V 0.26 OHM TYP.
Series :
MDmesh™ DM2
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
16.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
614pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220FP
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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