Vishay Siliconix - SIHA22N60EL-E3

KEY Part #: K6397661

SIHA22N60EL-E3 Preços (USD) [40484pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.96581

Número da peça:
SIHA22N60EL-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA22N60EL-E3 Atributos do produto

Número da peça : SIHA22N60EL-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 600V 21A TO220
Series : EL
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 197 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1690pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 35W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220 Full Pack
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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