ON Semiconductor - FQT4N20TF

KEY Part #: K6411021

[13934pcs Estoque]


    Número da peça:
    FQT4N20TF
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FQT4N20TF electronic components. FQT4N20TF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQT4N20TF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQT4N20TF Atributos do produto

    Número da peça : FQT4N20TF
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 850mA (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 425mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 2.2W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223-4
    Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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