BSC123N10LSGATMA1 Preços (USD) [116263pcs Estoque]
- 1 pcs$0.31813
- 5,000 pcs$0.30546
- Número da peça:
- BSC123N10LSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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BSC123N10LSGATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC123N10LSGATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10.6A (Ta), 71A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 72µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4900pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
114W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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