[1344pcs Estoque]
- Número da peça:
- SIE860DF-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIE860DF-T1-GE3 electronic components. SIE860DF-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE860DF-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIE860DF-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIE860DF-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 21.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
10-PolarPAK® (M)
Pacote / caso :
10-PolarPAK® (M)
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