IXYS - IXFH10N100

KEY Part #: K6415078

[12534pcs Estoque]


    Número da peça:
    IXFH10N100
    Fabricante:
    IXYS
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in IXYS IXFH10N100 electronic components. IXFH10N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH10N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFH10N100 Atributos do produto

    Número da peça : IXFH10N100
    Fabricante : IXYS
    Descrição : MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
    Series : HiPerFET™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AD (IXFH)
    Pacote / caso : TO-247-3

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