IRLU3636PBF Preços (USD) [101987pcs Estoque]
- 1 pcs$0.38339
- Número da peça:
- IRLU3636PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 50A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
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IRLU3636PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRLU3636PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3779pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
143W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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