BSS606NH6327XTSA1 Preços (USD) [390012pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09484
- 1,000 pcs$0.08261
- Número da peça:
- BSS606NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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BSS606NH6327XTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSS606NH6327XTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 15µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
657pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT89
Pacote / caso :
TO-243AA
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