Infineon Technologies - BSS606NH6327XTSA1

KEY Part #: K6399826

BSS606NH6327XTSA1 Preços (USD) [390012pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.08261

Número da peça:
BSS606NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS606NH6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSS606NH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 15µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 657pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT89
Pacote / caso : TO-243AA

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