Infineon Technologies - SPU01N60C3BKMA1

KEY Part #: K6399090

SPU01N60C3BKMA1 Preços (USD) [76032pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.51426

Número da peça:
SPU01N60C3BKMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPU01N60C3BKMA1 Atributos do produto

Número da peça : SPU01N60C3BKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 800mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 11W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO251-3
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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