R6030ENZ1C9 Preços (USD) [16611pcs Estoque]
- 1 pcs$2.72793
- 10 pcs$2.43619
- 100 pcs$1.99752
- 500 pcs$1.61748
- 1,000 pcs$1.36414
- Número da peça:
- R6030ENZ1C9
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor R6030ENZ1C9 electronic components. R6030ENZ1C9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6030ENZ1C9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
R6030ENZ1C9 Atributos do produto
Número da peça :
R6030ENZ1C9
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2100pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
120W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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