IXTA3N100D2 Preços (USD) [23380pcs Estoque]
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- 10 pcs$1.73327
- 100 pcs$1.42113
- 500 pcs$1.09173
- 1,000 pcs$0.92074
- Número da peça:
- IXTA3N100D2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
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IXTA3N100D2 Atributos do produto
Número da peça :
IXTA3N100D2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
37.5nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1020pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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