IXFH30N50Q Preços (USD) [1107pcs Estoque]
- 50 pcs$5.42863
- Número da peça:
- IXFH30N50Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFH30N50Q electronic components. IXFH30N50Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH30N50Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH30N50Q Atributos do produto
Número da peça :
IXFH30N50Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5700pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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