Infineon Technologies - IPI120P04P4L03AKSA1

KEY Part #: K6401854

IPI120P04P4L03AKSA1 Preços (USD) [2906pcs Estoque]

  • 500 pcs$0.65724

Número da peça:
IPI120P04P4L03AKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH TO262-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI120P04P4L03AKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPI120P04P4L03AKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH TO262-3
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 340µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 234nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 15000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 136W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO262-3-1
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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