ON Semiconductor - FDMC8360LET40

KEY Part #: K6394122

FDMC8360LET40 Preços (USD) [118199pcs Estoque]

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Número da peça:
FDMC8360LET40
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
PT8 N-CH 40/20V POWER TRENCH MOS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC8360LET40 Atributos do produto

Número da peça : FDMC8360LET40
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : PT8 N-CH 40/20V POWER TRENCH MOS
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 141A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Power33
Pacote / caso : 8-PowerWDFN

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