IXYS - IXTH20N50D

KEY Part #: K6398194

IXTH20N50D Preços (USD) [3734pcs Estoque]

  • 1 pcs$12.75928
  • 10 pcs$11.80396
  • 100 pcs$10.08132

Número da peça:
IXTH20N50D
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH20N50D Atributos do produto

Número da peça : IXTH20N50D
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 400W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 (IXTH)
Pacote / caso : TO-247-3

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