IXFR30N110P Preços (USD) [3618pcs Estoque]
- 1 pcs$13.83626
- 30 pcs$13.76742
- Número da peça:
- IXFR30N110P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFR30N110P electronic components. IXFR30N110P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR30N110P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFR30N110P Atributos do produto
Número da peça :
IXFR30N110P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
Series :
HiPerFET™, PolarP2™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
16A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
235nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13600pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
320W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS247™
Pacote / caso :
ISOPLUS247™
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