C2M0080170P Preços (USD) [2568pcs Estoque]
- 1 pcs$16.86412
- Número da peça:
- C2M0080170P
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrição detalhada:
- ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C2M0080170P electronic components. C2M0080170P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C2M0080170P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C2M0080170P Atributos do produto
Número da peça :
C2M0080170P
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrição :
ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS
Series :
C2M™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 28A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
120nC @ 20V
Vgs (máx.) :
+25V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2250pF @ 1000V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
277W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-4L
Pacote / caso :
TO-247-4
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