[3054pcs Estoque]
- Número da peça:
- APT8075BN
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APT8075BN electronic components. APT8075BN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT8075BN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT8075BN Atributos do produto
Número da peça :
APT8075BN
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Series :
POWER MOS IV®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2950pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
310W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AD
Pacote / caso :
TO-247-3
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