IXYS - IXTH40N30

KEY Part #: K6397499

IXTH40N30 Preços (USD) [8282pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.72029
  • 10 pcs$5.19982
  • 100 pcs$4.41987
  • 500 pcs$3.76987

Número da peça:
IXTH40N30
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH40N30 Atributos do produto

Número da peça : IXTH40N30
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
Series : MegaMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 (IXTH)
Pacote / caso : TO-247-3

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