ON Semiconductor - FCP36N60N

KEY Part #: K6397547

FCP36N60N Preços (USD) [12020pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.14660
  • 10 pcs$2.80946
  • 100 pcs$2.30376
  • 500 pcs$1.86550
  • 1,000 pcs$1.57331

Número da peça:
FCP36N60N
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP36N60N Atributos do produto

Número da peça : FCP36N60N
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3
Series : SupreMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 112nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4785pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 312W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
Pacote / caso : TO-220-3

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