IPW60R180C7XKSA1 Preços (USD) [23556pcs Estoque]
- 1 pcs$1.70110
- 10 pcs$1.51689
- 100 pcs$1.24401
- 500 pcs$0.95568
- 1,000 pcs$0.80600
- Número da peça:
- IPW60R180C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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IPW60R180C7XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPW60R180C7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Series :
CoolMOS™ C7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 260µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
68W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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